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HGST, 신규 SSD 아키텍처 공개 "수십 배 빠른 속도" - CIO Korea

HGST, 신규 SSD 아키텍처 공개 "수십 배 빠른 속도" - CIO Korea HGST, 신규 SSD 아키텍처 공개 "수십 배 빠른 속도" 데이터센터 / 소비자IT / 신기술|미래 CIO KR HGSTRK 2014 플래시 메모리 서밋(2014 Flash Memory Summit)에서 데이터 집약적인 사용 환경에 대한 신속한 인사이트를 제공하는 새로운 SSD용 아키텍처를 공개한다고 밝혔다. 이번 서밋에서 HGST가 소개한 기술은, 새로운 비휘발성 메모리 컴포넌트와 지연율을 낮춘 인터페이스 프로토콜을 결합해 SSD의 성능을 향상시킨 것이다. 회사에 따르면 HGST의 신기술을 적용한 PCle 기기는 대기환경에서 초당 512바이트에 300만 IOPS, 비대기 환경에서는 랜덤지연율이 1.5 마이크로초에 불과하다. 이는 기존 SSD 아키텍처와 NAND 플래시 메모리로는 달성하기 어려웠던 성과로, 기존 플래시 기반 SSD 대비 수십 배 이상 빠른 속도와 새로운 블록 스토리지를 구현할 수 있다. HGST의 최고기술책임자(CTO)인 스티브 캠벨은 이번 PCM SSD 시연에 대해 “급속도로 발전하고 있는 스토리지 산업에 발맞추는 HGST의 지난 노력에 대한 성과”라며, “새로운 인터페이스 프로토콜과 차세대 비휘발성 메모리를 결합해 고성능을 구현해낸 한편, HGST가 고객과 함께 연구해온 새로운 소프트웨어 및 시스템 아키텍처 개발에 탄력을 얻었다”고 말했다. SSD에 사용되는 메모리는 1GB 용량의 PCM(Phase Change Memory) 컴포넌트다. PCM은 NAND 플래시 메모리 대비 훨씬 빠른 읽기 액세스 타임을 지원하는 고밀도 비휘발성 메모리의 한 종류이다. HGST는 이 같은 새로운 메모리 기술을 서버와 소프트웨어 애플리케이션에 최적화하기 위해, 지연율을 낮춘 인터페이스 아키텍처를 개발해왔다. 해당 아키텍처는 목표 성능을 구현할 수 있도록 최적화됐으며, 이미 설치된 메모리 기술에 제약을 받지 않는다. HGST는 컨트롤러 기술에 1GB 용량의 45 나노미터 PCM 칩들을 통합해 기존 PCIe Gen 2x4 SSD 카드와 동일한 크기의 원형을 개발했다. ciokr@idg.co.kr 인쇄